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一种硅基垂直腔面发射激光器

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专利号 2021113036872 专利名称 一种硅基垂直腔面发射激光器
专利类型 发明专利 国际分类 H01S5/183(2006.01),H01S5/34(2006.01),H01S5/343(2006.01)
申请人 申请地址 528400 广东省中山市石岐区学院路1号
发明人 申请日期 2021-11-05
下证状态 未知 更新时间 2025-01-14 07:12:50
专利摘要 本发明公开了一种硅基垂直腔面发射激光器,包括单晶Si衬底,在Si衬底的上表面按照层状叠加结构从下至上依次设置有多层复合结构缓冲层和III‑V族VCSEL激光发射单元。单晶Si衬底的上表面为纳米柱结构,多层复合结构缓冲层由二维BN层、III‑V族化合物和GaAs量子点循环生长组成。本发明利用多层复合结构缓冲层材料特性,可以减小III‑V族VCSEL激光发射单元受到的失配应力,改善材料晶体质量,提升硅基激光器的光电性能。

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转让材料

买卖双方需提供 平台提供 转让后买方可获得
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企业组织机构代码证
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卖方 企业营业执照
专利证书原件
身份证
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