发明专利
专利类型未知
专利状态2021113035206
专利号专利号 | 2021113035206 | 专利名称 | 一种基于GaAs衬底的倒装多结太阳电池 |
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专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | H01L31/0687(20120101),H01L31/0693(20120101),H01L31/0352(20060101) |
申请人 | 电子科技大学中山学院 | 申请地址 | 广东省中山市石岐区学院路1号 |
发明人 | 张小宾 | 申请日期 | 2021-11-05 |
下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-14 07:12:47 |
专利摘要 | 本发明公开了一种基于GaAs衬底的倒装多结太阳电池,包括GaAs衬底,在GaAs衬底的上表面按照层状叠加结构从下至上依次设置有AlAs剥离层、GaInP子电池、石墨烯/AlSbP多层结构缓冲层、第一隧道结、InP子电池、第二隧道结和GaInAs子电池。本发明利用二维石墨烯材料特性降低界面应力,同时结合生长温度递增的AlSbP层逐步释放外延应力,可提升GaAs衬底上InP、GaInAs等外延材料的晶体质量,基于GaAs衬底可得到带隙组合更加合理的GaInP/InP/GaInAs倒装三结太阳电池,从而提升多结电池的转换效率。 |
买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
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企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 |
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