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基于RGD-Ag(I)配位聚合物的电化学传感器制备及其应用

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专利号 2019109673160 专利名称 基于RGD-Ag(I)配位聚合物的电化学传感器制备及其应用
专利类型 发明专利 国际分类 G01N27/327
申请人 宁波大学 申请地址 浙江省宁波市江北区风华路818号宁波大学
发明人 胡宇芳 申请日期 2019-09-26
下证状态 未知 更新时间 2025-01-14 07:03:14
专利摘要 本发明公开了基于RGD‑Ag(I)配位聚合物的电化学传感器制备及其应用,具体步骤如下:(1)首先合成RGD‑Ag(I)配位聚合物;(2)将制备好的RGD‑Ag(I)配位聚合物,滴到石墨烯基表面,即完成修饰。所制备的传感器在PBS(100mM,pH=7.0,含5mM H2O2)完成RGD肽的检测,所用电化学方法为循环伏安法,扫速为50mV/s,电位为‑1.0~0V。随后改变RGD肽浓度,制作一系列的传感器,通过检测其电化学响应强度,绘制标准曲线,用于检测待测物中RGD肽的浓度,优点是特异性强、灵敏度高、检测速度快、结果准确可靠且成本低。

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