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一种深紫外光化学水浴沉积制备硫化镉纳米薄膜的方法
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2016109372441
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2016109372441 | 专利名称 | 一种深紫外光化学水浴沉积制备硫化镉纳米薄膜的方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | H01L31/0296(2006.01),H01L31/0392(2006.01),H01L31/0749(2012.01),C01G11/02(2006.01) |
| 申请人 | 申请地址 | 524048广东省湛江市赤坎区寸金路29号 | |
| 发明人 | 申请日期 | 2016-11-01 | |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-13 08:00:45 |
| 专利摘要 | 本发明涉及半导体光电材料技术领域，提供了一种深紫外光化学水浴沉积制备硫化镉纳米薄膜的方法，将金属源CdSO<sub>4</sub>、硫源Na<sub>2</sub>S<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、含SO<sub>3</sub><sup>2‑</sup>的硫源释放控制剂及H<sub>2</sub>SO<sub>4</sub>溶液混合，得到沉积液，将沉积液的pH值稳定在3.5~4.0，将衬底浸渍于沉积液中，使沉积液液面与衬底的上表面的距离小于1mm，使用LED深紫外光照射，形成硫化镉纳米薄膜。所述方法能够使硫源的释放得到控制，提高了薄膜生长的均匀性。对比一般光化学沉积工艺，该工艺使用的深紫外光源功率小，热效应低，经过光学设计后在固定范围内深紫外光强度均一，能制备出达到铜铟镓硒太阳能电池缓冲层要求的、均匀一致的、与基底紧密接触的高质量纳米硫化镉薄膜。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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