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KC预插层的碳纳米薄片（KC-PCN）、制备方法、电极及电容去离子
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2022102188433
专利号
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专利信息
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| 专利号 | 2022102188433 | 专利名称 | KC预插层的碳纳米薄片（KC-PCN）、制备方法、电极及电容去离子 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | C02F1/469(2006.01),C01B32/15(2017.01),C02F103/08(2006.01) |
| 申请人 | 曲阜师范大学 | 申请地址 | 273165 山东省济宁市曲阜市静轩西路57号 |
| 发明人 | 刘玉静 | 申请日期 | 2022-03-08 |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-13 08:00:12 |
| 专利摘要 | 本发明属于电容去离子领域，涉及一种KC预插层的碳纳米薄片（KC‑PCN）用于新型动态插层机制，有效地提高盐去除容量（SAC）以及获得超高循环寿命。所述方法包括室温下，在研钵中加入顺丁烯二酸酐（MAH）和氢氧化钾（KOH）研磨5 min，移入管式炉在N2气氛下升温至700 oC，煅烧30分钟，用1摩尔每升的盐酸溶液和去离子水洗涤产物至pH=7，烘干12 h得到最终产物。本发明首次提出动态插层储钠机制，并将其应用于电容去离子领域。由共轭羰基引发的动态插层机制，达到了碳基电容去离子中超高SAC（40.72 mg g‑1），且在300次的循环后仍然保留97.96%的盐去除容量。另外，在模拟海水的应用中，KC‑PCN可以达到1.65 g g‑1的超高性能。本发明操作简单且对环境友好，为工业化高浓度卤水淡化提供新型参考机制。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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