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一种二硫化钼场效应晶体管及其制备方法和应用
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2020107483732
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2020107483732 | 专利名称 | 一种二硫化钼场效应晶体管及其制备方法和应用 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | H01L29/78(2006.01),H01L29/423(2006.01),H01L21/34(2006.01),H01L21/44(2006.01) |
| 申请人 | 电子科技大学中山学院 | 申请地址 | 528400 广东省中山市石岐区学院路1号 |
| 发明人 | 高庆国 | 申请日期 | 2020-07-30 |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-13 07:59:28 |
| 专利摘要 | 本发明涉及半导体器件技术领域，具体公开了一种二硫化钼场效应晶体管及其制备方法和应用，该二硫化钼场效应晶体管包括依次设置的衬底层、第一金属层、第一栅介质层与二硫化钼半导体薄膜层，二硫化钼半导体薄膜层两侧分别设有源接触电极与漏接触电极，第二、第三栅介质层以及第二金属层，第二金属层穿过第一栅介质层、第二和第三栅介质层与第一金属层接触。本发明实施例通过设置第一金属层与第二金属层分别作为底栅和顶栅来同时控制二硫化钼沟道，增强对沟道的静电控制能力，有助于进一步缩小尺寸，同时提升器件低功耗性能和高频性能表现，解决了现有二硫化钼场效应晶体管结构在低功耗性能和高频性能方面存在不足的问题。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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