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大孔自支撑CNTs@Co2V2O7上负载黑磷量子点复合薄膜的制备方法及其应用
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2022107568320
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2022107568320 | 专利名称 | 大孔自支撑CNTs@Co2V2O7上负载黑磷量子点复合薄膜的制备方法及其应用 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | H01G11/86(2013.01),H01G11/30(2013.01),H01G11/36(2013.01),H01G11/46(2013.01),H01G11/24(2013.01) |
| 申请人 | 江苏大学 | 申请地址 | 212013 江苏省镇江市京口区学府路301号 |
| 发明人 | 刘瑜 | 申请日期 | 2022-06-30 |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-13 07:55:07 |
| 专利摘要 | 本发明属于复合电极材料技术领域，涉及复合电极，尤其涉及一种大孔自支撑CNTs@Co2V2O7上负载黑磷量子点复合薄膜的制备方法，包括：先将CNTs分散液与氢氧化钴胶体分散液等体积快速混合，静置1～2h得到絮状悬浮液，通过真空抽滤得到CNTs@ZIF‑67薄膜；再将NH4VO3溶解在氨水溶液中，浸入所制备的CNTs@ZIF‑67薄膜，在80～90℃油浴反应5～10min，取出后用去离子水、无水乙醇洗涤数次，60℃干燥，得到CNTs@Co2V2O7薄膜；最后将CNTs@Co2V2O7薄膜浸入黑磷量子点分散液中充分浸泡后即得。可应用于超级电容器的电极。本发明以碳纳米管为基底增强了材料的柔韧性和导电性，同时CNTs@Co2V2O7/BPQD直接在碳纳米管上原位生长，避免粘合剂的使用，降低材料的阻抗，中空大孔结构还可以最大化离子可接触比表面积，提供大量反应的活性位点。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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