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一种彩色偏振CMOS图像传感器及其制作方法

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专利号 2019104661398 专利名称 一种彩色偏振CMOS图像传感器及其制作方法
专利类型 发明专利 国际分类 H01L27/146(2006.01)
申请人 中国计量大学 申请地址 310018 浙江省杭州市江干区学源街258号中国计量大学
发明人 金尚忠 申请日期 2019-05-31
下证状态 未知 更新时间 2025-01-13 07:53:40
专利摘要 本发明公开了一种彩色偏振CMOS图像传感器及其制作方法,具体包括:p+基底(01)、p+层1(02)、n+(03)、n+层1(04)、p+层2(05)、n+层2(06)、p+层3(07)、n+层3(08)、光电子漂流层(09)、彩色信息输出电路(10)及四个纳米线极化滤波器。该传感器包含1300*800个像素,每个像素包含3个垂直堆叠的光电二极管和一个光电子漂流层(09),每个二极管由p+和n+交替参杂形成。在CMOS后沉积金属纳米线,从而增加了该传感器的偏振灵敏度。由于不同波长的预期穿透深度不同,同一个像素中不同深度的PN结将会表现出不同的吸收光谱,从而实现了200nm~1000nm的光谱响应。该传感器具有动态范围大,信噪比高,功耗低等优点,在实际应用中具有很大的应用价值。

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