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一种[I3]-离子导体及其制备方法和应用

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专利号 2019110342614 专利名称 一种[I3]-离子导体及其制备方法和应用
专利类型 发明专利 国际分类 C07D213/89(2006.01),H01G11/56(2013.01),H01M8/1016(2016.01)
申请人 南京晓庄学院 申请地址 211171 江苏省南京市江宁区弘景大道3601号南京晓庄学院环境科学学院
发明人 于姗姗 申请日期 2019-11-15
下证状态 未知 更新时间 2025-01-13 07:52:14
专利摘要 本发明公开了离子液体领域,具体公开了一种新型低熔点[I3]‑离子导体及其制备方法和应用。该离子导体以N‑氨基吡啶为阳离子,卤素为阴离子的新型低熔点离子对化合物,该化合物具有较低的熔点,是一种潜在的离子液体。此外该化合物还呈现了高的离子导电性,可以作为一种新型的碘离子导体。

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