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一种枝状结构ZnFe<sub>2</sub>O<sub>4</sub>与TiO<sub>2</sub>复合半导体的制备方法
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2015101875132
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2015101875132 | 专利名称 | 一种枝状结构ZnFe<sub>2</sub>O<sub>4</sub>与TiO<sub>2</sub>复合半导体的制备方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | B01J23/80,C25C5/02 |
| 申请人 | 哈尔滨工业大学 | 申请地址 | 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 |
| 发明人 | 姚忠平 | 申请日期 | 2015-04-20 |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-11 09:20:40 |
| 专利摘要 | 一种枝状结构ZnFe<sub>2</sub>O<sub>4</sub>与TiO<sub>2</sub>复合半导体的制备方法，它涉及一种复合半导体的制备方法。本发明的目的是要解决现有ZnFe<sub>2</sub>O<sub>4</sub>半导体电子空穴复合几率大，光催化性能低的问题。方法：使用带有阴离子选择透过膜的反应器制备合金粉体，再将合金粉体进行烧结，得到枝状结构ZnFe<sub>2</sub>O<sub>4</sub>半导体粉末；再使用枝状结构ZnFe<sub>2</sub>O<sub>4</sub>半导体粉末、无水乙醇、冰乙酸和钛酸丁酯制备溶胶；再将溶胶进行干燥，得到凝胶，再将凝胶在温度为250℃～550℃的管式炉中和空气气氛的条件下烧结，得到枝状结构ZnFe<sub>2</sub>O<sub>4</sub>与TiO<sub>2</sub>复合半导体。本发明可获得一种枝状结构ZnFe<sub>2</sub>O<sub>4</sub>与TiO<sub>2</sub>复合半导体的制备方法。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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