发明专利
专利类型未知
专利状态2016110485775
专利号专利号 | 2016110485775 | 专利名称 | 一种V‑Cu系偏晶型氢分离合金及其加工方法 |
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专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | C22F1/18,C22C1/02,C22C27/02 |
申请人 | 哈尔滨工业大学 | 申请地址 | 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 |
发明人 | 李新中 | 申请日期 | 2016-11-24 |
下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-11 09:18:25 |
专利摘要 | 一种V‑Cu系偏晶型氢分离合金及其加工方法,涉及一种氢分离合金及其加工方法。本发明是为了解决现有的钒基氢分离合金以切割铸锭获得分离膜的方法存在膜片最小厚度偏大和原材料浪费的问题。本发明所述的一种V‑Cu系偏晶型氢分离合金,其特征在于,所述氢分离合金的包括V、Cu,以及能够与V形成固溶体的金属溶质元素;氢分离合金的显微组织结构上,V为体心立方的钒,Cu为面心立方的铜;所述V的原子百分比为56.5%‑90%,所述Cu的原子百分比为10%‑40%,所述的能够与V形成固溶体的金属溶质元素的原子百分比为0%‑9%。本发明适用于氢分离领域。 |
买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
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企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 |
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