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一种SiCnw/C纳米复合材料的制备方法

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专利号 2018113736789 专利名称 一种SiCnw/C纳米复合材料的制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 C04B35/80(2006.01),C04B35/52(2006.01),C04B35/622(2006.01),C04B35/626(2006.01)
申请人 申请地址 212008江苏省镇江市京口区梦溪路2号
发明人 申请日期 2018-11-16
下证状态 未知 更新时间 2025-01-11 08:59:58
专利摘要 本发明公开了一种SiCnw/C纳米复合材料的制备方法,包括如下步骤:将白砂糖粉末和氯化铵粉末按质量比1∶1加入水中,混合搅拌后干燥,得到结晶混合物;将干燥的结晶混合物与纳米二氧化硅粉末按质量比为2~10∶1进行混合研磨,得到混合粉末;将混合粉末装入纯度为99.99%的Al2O3坩埚中,在稀有气体保护下,置于管式电阻炉内进行高温烧结,冷却后得到SiCnw/C纳米复合材料。本发明制备方法制得的复合材料利用原位自生技术,在介孔碳基体上直接生成弥散分布的碳化硅纳米线(SiCnw)增强体,生产成本低、操作简单,可潜在运用于准塑性材料,绿光催化模板和热能储存材料。

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