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专利号	2018101505641	专利名称	一种具有超结结构的半导体器件及其制作方法
专利类型	发明专利	国际分类	H01L29/786,H01L29/06,H01L21/336
申请人	汇佳网（天津）科技有限公司	申请地址	天津市南开区卫津路与万德庄大街交口西南侧新都大厦1-1-505-1
发明人	王振海	申请日期	2018-02-13
下证状态	未知	更新时间	2025-01-11 08:36:17
专利摘要	本发明提供了一种具有超结结构的半导体器件及其制作方法，涉及半导体芯片技术领域，包括：N型衬底、N+区、P‑体区、PN交替超结区、N+源区、栅极氧化层、多晶硅栅极、介质层隔离、器件源极金属和器件漏极金属。PN交替超结区由P+层与N+层横向间隔交替排列，N+区的中央区内部横向设置有由超结P型柱组成的超结P型柱阵列组。该技术方案缓解了现有技术存在的导通电阻大、饱和电流低的技术问题，有效保证了半导体器件的耐压性能，提高了半导体器件的饱和电流，减小了器件的导通电阻，充分发挥了超结结构的优势，有效利用器件面积，降低了器件的生产成本，改善半导体器件的导通性能。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
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买方	企业营业执照企业组织机构代码证	身份证
卖方	企业营业执照专利证书原件	身份证专利证书原件