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一种芯片的双重自毁装置

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专利号 201911413777X 专利名称 一种芯片的双重自毁装置
专利类型 发明专利 国际分类 G06F21/78(2013.01),B02C1/14(2006.01),B02C23/00(2006.01)
申请人 湖南博远翔电子科技有限公司 申请地址 410205湖南省长沙市长沙高新开发区麓谷大道627号海创科技工业园B-1栋加速器生产车间805房
发明人 李波 申请日期
下证状态 未知 更新时间 2025-01-11 07:45:33
专利摘要 本发明公开了一种芯片的双重自毁装置,包括固定位于芯片上方的施压块,所述施压块的下端设置用于引发芯片机械自毁的机械破坏尖点和用于引发芯片烧毁的自燃引点,本自毁装置中设置两种芯片自毁功能,施压弹簧被压缩后伸展,给施压块向下的压力,机械破坏尖点会压向芯片进行机械自毁,而自燃引点会砸开密封板,引燃室进入空气,同时自燃引点推动活动块,摩擦自燃头的摩擦面和摩擦壁相互摩擦起火,使得自燃底盒起火,芯片从底部被烧毁,本发明中可对芯片进行机械和烧毁双重自毁,保证芯片彻底被毁坏,双重自毁结构可同时启动,且不需要电能,结构简单且紧凑,自毁效果稳定。

交易流程

转让材料

买卖双方需提供 平台提供 转让后买方可获得
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专利证书
手续合格通知书
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企业组织机构代码证
身份证
卖方 企业营业执照
专利证书原件
身份证
专利证书原件

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