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专利号	2020100338598	专利名称	一种改进型钕铁硼磁体材料及其改进方法
专利类型	发明专利	国际分类	H01F1/057(20060101),H01F1/08(20060101),H01F41/02(20060101),B22F3/04(20060101),B22F9/02(20060101)
申请人	桂林电子科技大学	申请地址	广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号
发明人	姚青荣	申请日期	2020-01-13
下证状态	未知	更新时间	2025-01-11 07:27:14
专利摘要	本发明提供一种改进钕铁硼磁体材料性能的改进方法，以Nd<Sub>2</Sub>Fe<Sub>14</Sub>B相为主的磁体材料，经过取向成型工艺的参数的改进以降低磁体材料的收缩比，最终制备得到所述改进钕铁硼磁体材料。本发明主要改进钕铁硼磁体材料取向成型工艺的技术参数，使烧结后的胚料收缩比降低，以达到减少钕铁硼磁体碎料的浪费，还能有效提高磁体材料的各项性能。

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	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
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