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一种将SIG和SMG两种超导块材生长法结合实现批量化生产的方法

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专利号 2021114022237 专利名称 一种将SIG和SMG两种超导块材生长法结合实现批量化生产的方法
专利类型 发明专利 国际分类 C30B29/22(20060101),C30B11/14(20060101),C30B33/02(20060101),H01B12/00(20060101)
申请人 陕西师范大学 申请地址 陕西省西安市长安区西长安街620号陕西师范大学长安校区
发明人 杨万民 申请日期 2021-11-19
下证状态 未知 更新时间 2025-01-10 08:37:46
专利摘要 本发明将籽晶诱导的熔渗生长SIG和熔融生长法SMG两种块材生长方法结合来实现批量化生产的方法,包括如下步骤:步骤一、准备籽晶;步骤二、SIG制备先驱块:制备支撑块、SIG固相先驱块、SIG液相先驱块、SIG新液相先驱块;步骤三、SMG制备先驱块;步骤四、准备单晶块、垫片;步骤五、装配步骤二和步骤三制备的先驱块;步骤六:在晶体生长炉生长单畴钇钡铜氧块材;步骤七:渗氧处理。该方法既能实现同批次多个块材生长,又能提高籽晶利用率,同时又能极易实现单畴YBCO超导块材的生长;不仅提高了批量化的效率,也提高了籽晶的利用率,生长好的两个单畴YBCO超导块材也能很好的分离。

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转让材料

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企业组织机构代码证
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卖方 企业营业执照
专利证书原件
身份证
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