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一种高击穿场强、高光电流密度的铌酸钠基无铅铁电陶瓷材料及其制备方法

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专利号 2021103181935 专利名称 一种高击穿场强、高光电流密度的铌酸钠基无铅铁电陶瓷材料及其制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 C04B35/495(2006.01),C04B35/622(2006.01)
申请人 申请地址 710062陕西省西安市长安南路199号
发明人 晁小练 申请日期 2021-03-25
下证状态 未知 更新时间 2025-01-10 08:37:22
专利摘要 本发明公开了一种高击穿场强、高光电流密度的铌酸钠基无铅铁电陶瓷材料及其制备方法,该陶瓷材料的通式为(1‑x)NaNbO3‑xBa(Nb0.5Ni0.5)O3‑σ,式中x代表Ba(Nb0.5Ni0.5)O3‑σ占总物质量的摩尔比,x的取值为0.1~0.4。该陶瓷材料通过配料、预烧、球磨、压片、无压密闭烧结等工艺步骤制备而成。本发明制备方法简单、重复性好、成品率高,所得陶瓷材料具有光伏特性、光响应电流高,同时具有高的居里温度、高的极化强度和介电击穿强度,实用性强、易于生产,兼顾光伏特性和陶瓷电容器的储能特性,是一种性能优良的多功能无铅铁电陶瓷,是铁电光伏电池的一种新型备选材料。

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