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专利号	2017110212842	专利名称	低频低介电损耗的AgNb共掺二氧化钛基介电陶瓷材料及其制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	C04B35/46,C04B35/622,H01B3/12
申请人		申请地址	陕西省西安市长安南路199号
发明人		申请日期	2017-10-26
下证状态	未知	更新时间	2025-01-10 08:33:39
专利摘要	本发明公开了一种低频低介电损耗的AgNb共掺二氧化钛基介电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料的通式为(Ag1/4Nb3/4)xTi1‑xO2，其中x表示摩尔分数，x的取值为0.005～0.01。本发明陶瓷材料的制备方法简单、重复性好、成品率高，通过在Nb单掺的二氧化钛基陶瓷材料中引入金属元素Ag，使陶瓷材料在频率为40～106Hz范围内具有高介电常数(＞104)、低介电损耗(＜0.09)，尤其是显著降低了陶瓷材料的低频介电损耗，在40～103Hz频率范围内介电损耗始终保持在0.06以下，同时具有优异的频率及温度稳定性，保持在‑10％～10％之间，符合陶瓷电容器的参数要求，具有巨大的应用价值。

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