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专利号	2016107853682	专利名称	一种单晶硅基异质结太阳能电池及其制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	B82Y20/00,B82Y30/00,H01L31/18,H01L31/076,H01L31/0352
申请人		申请地址	陕西省西安市长安南路199号
发明人		申请日期	2016-08-30
下证状态	未知	更新时间	2025-01-10 08:32:18
专利摘要	本发明一种单晶硅基异质结太阳能电池及其制备方法，所述电池包括依次层叠的ITO层、a‑Si p层、a‑Si i层、基底、a‑Si i层、a‑Si n层和ITO层，以及在ITO层和a‑Si p层间插入高掺杂的a‑Si p+层，或在ITO层和a‑Si n层间插入高掺杂的a‑Si n+层。所述方法将基底在等离子增强化学气相沉积设备中，分步进行异质结太阳能电池的a‑Si i层、a‑Si n层和a‑Si p层沉积；在电池的a‑Si p/ITO层界面或a‑Si n/ITO层界面中沉积高掺杂的a‑Si p+层或高掺杂的a‑Si n+；最后沉积ITO电极得到硅基异质结太阳能电池。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
买方	企业营业执照企业组织机构代码证	身份证
卖方	企业营业执照专利证书原件	身份证专利证书原件