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易除液相源残留的单畴钇钡铜氧超导块材制备方法
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
201610693174X
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 201610693174X | 专利名称 | 易除液相源残留的单畴钇钡铜氧超导块材制备方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | C04B35/45,H01B12/00,C04B35/622 |
| 申请人 | 陕西师范大学 | 申请地址 | 陕西省西安市长安区西长安街620号陕西师范大学长安校区 |
| 发明人 | 杨万民 | 申请日期 | 2016-08-19 |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-10 08:32:15 |
| 专利摘要 | 本发明属于高温铜氧化物超导材料技术领域，具体涉及一种易除液相源残留的单畴钇钡铜氧超导块材制备方法。本发明的方法包括配制固相源粉、配制液相源粉、压制固相先驱块和液相源先驱块、压制第一固液隔离层和第二固液隔离层、压制Yb2O3支撑块、装配先驱块、熔渗生长单畴钇钡铜氧块材、渗氧处理步骤。本发明提供了一种装配先驱块的新技术，既能实现液相源先驱块中液相的熔渗，又能保证单畴钇钡铜氧超导块材的生长，同时又能极易实现已生长单畴钇钡铜氧超导块材与液相源残留块的分离；不仅大大简化了对液相源残留块的后续切除加工过程，也避免了已生长单畴钇钡铜氧超导块材在分离过程中被破坏的可能性。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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