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一锅法合成多孔氧化硅/蒙脱土纳米复合材料的方法

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专利号 2013100389655 专利名称 一锅法合成多孔氧化硅/蒙脱土纳米复合材料的方法
专利类型 发明专利 国际分类 C01B33/44(2006.01)
申请人 申请地址 710062陕西省西安市长安南路199号
发明人 刘忠文 申请日期 2013-01-31
下证状态 未知 更新时间 2025-01-10 08:30:43
专利摘要 本发明涉及一种一锅法合成多孔氧化硅/蒙脱土纳米复合材料的方法,其是在超临界CO2体系中,采用一锅法将阳离子表面活性剂和正硅酸乙酯同时引入到蒙脱土层间,使正硅酸乙酯在层间以阳离子表面活性剂胶束为模板,发生原位水解-缩聚反应,合成多孔氧化硅/蒙脱土纳米复合材料,所合成的多孔氧化硅/蒙脱土纳米复合材料具有微孔和介孔双孔的结构分布且热稳定性高的特点,而且本发明的合成方法步骤少、易操作且表面活性剂用量少、成本低廉、无副产物、绿色无污染。

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