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用顶部籽晶熔渗法制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法

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专利号 2012105072505 专利名称 用顶部籽晶熔渗法制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法
专利类型 发明专利 国际分类 C30B29/22,C30B1/00,C04B35/45
申请人 陕西师范大学 申请地址 陕西省西安市长安南路199号
发明人 杨万民 申请日期 2012-11-29
下证状态 未知 更新时间 2025-01-10 08:30:42
专利摘要 本发明涉及一种用顶部籽晶熔渗法制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法,其是通过改变固相块所用固相源粉和液相源粉的成份,使得整个熔渗生长过程仅需BaCuO2一种先驱粉,简化了实验环节、缩短了实验周期、降低了实验成本、提高了效率,而且本发明所制产品磁悬浮力大,采用了液相块的尺寸与固相先驱块的尺寸相比稍大或相等的装配方法,有利于防止液相的流失、样品的坍塌以及有利于固相与液相的充分接触,有利于晶体的生长,易于定向生长。

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身份证
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