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单畴钇钡铜氧超导块材的制备方法
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2012100481040
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2012100481040 | 专利名称 | 单畴钇钡铜氧超导块材的制备方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | C30B29/22(2006.01),C30B11/00(2006.01) |
| 申请人 | 陕西师范大学 | 申请地址 | 710062陕西省西安市长安南路199号 |
| 发明人 | 杨万民 | 申请日期 | 2012-02-28 |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2025-01-10 08:30:40 |
| 专利摘要 | 一种单畴钇钡铜氧超导块材的制备方法，由配制Y<sub>2</sub>BaCuO<sub>5</sub>先驱粉、配制液相源粉、压制Y<sub>2</sub>BaCuO<sub>5</sub>先驱块和液相块、压制支撑块、制备坯体、熔渗生长单畴钇钡铜氧块材、渗氧处理步骤组成。本发明采用顶部籽晶熔渗生长法，通过添加金属氧化物(Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>粉体和WO<sub>3</sub>粉体)掺杂成功地引入了第二相纳米粒子Y<sub>2</sub>Ba<sub>4</sub>CuBiO<sub>x</sub>/Y<sub>2</sub>Ba<sub>4</sub>CuMO<sub>x</sub>(M为Bi、W)来形成磁通钉扎中心，简化了粉体制备的工艺、缩短了实验周期、降低了实验成本、提高了超导块材的磁通钉扎能力。采用了Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>制备支撑块，在钇钡铜氧块材的慢冷生长过程中，稳定地支撑上面的两个坯块，阻止液相的流失。本发明可用于制备钇钡铜氧超导块材，也可用于制备Gd、Sm、Nd、Eu等其他系列的高温超导块材。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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