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一种晶粒[00l]高度定向的氮化硅基陶瓷及其制备方法和应用

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专利号 2021107528969 专利名称 一种晶粒[00l]高度定向的氮化硅基陶瓷及其制备方法和应用
专利类型 发明专利 国际分类 C04B35/583(2006.01),C04B35/622(2006.01),C04B35/645(2006.01)
申请人 申请地址 510062广东省广州市越秀区东风东路729号
发明人 林华泰 申请日期 2021-07-02
下证状态 未知 更新时间 2025-01-10 08:14:36
专利摘要 本发明属于氮化硅基陶瓷材料领域,公开了一种晶粒[00l]高度定向的氮化硅基陶瓷材料及其制备方法。所述氮化硅基陶瓷是将致密度为50%以上的氮化硅基陶瓷素坯经表面喷涂离型剂后至于高温可塑性套环中形成一整体,并将该整体放入通孔模具中,再在该整体端面涂敷润滑剂,以柱状空心加压杆为阳模,将模具及素坯套环部件一体置于高温炉中,在1600~1900℃下经阳模轴向加压20~80MPa煅烧制得。本发明的方法可获得晶粒尺寸小,部件尺寸范围大的产品,并且制备时间短,条件温和,容易实现大规模生产,成本低。本发明获得的晶粒定向氮化硅陶瓷在轴向上具有优异的强度、韧性、抗高温蠕变性和导热性、耐磨性。

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