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专利号	201510878324X	专利名称	一种六硼化镧准一维纳米结构阵列材料的制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	B82Y30/00,C01B35/04
申请人	湖南师范大学	申请地址	湖南省长沙市岳麓区麓山路36号湖南师范大学量子楼
发明人	肖立华	申请日期	2015-12-04
下证状态	未知	更新时间	2025-01-10 08:04:26
专利摘要	一种六硼化镧准一维纳米结构阵列材料的制备方法，包括如下步骤：（1）将硼源置于管式电炉上气流方向的温区1，镧源置于下气流方向的温区2，硅衬底置于温区2镧源的下气流方向，重复洗气；（2）通入保护性气氛，将温区1和温区2分别升温至500～600℃和800～900℃，保温5～10min后，将温区1和温区2分别升温至900～1100℃和900～1100℃，保温20～120min，自然冷却，得六硼化镧准一维纳米结构阵列材料。本发明方法首次实现六硼化镧准一维纳米结构阵列大规模直接可控生长，其长径比大，单分散性好，可广泛应用于电学领域；固态硼源无腐蚀性、无毒、易运输；本发明方法简单、成本低，便于工业化生产。

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