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一种Gd3+与Ti3+共掺杂TiO2纳米管阵列电极、制备方法及其应用

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专利号 2021112792637 专利名称 一种Gd3+与Ti3+共掺杂TiO2纳米管阵列电极、制备方法及其应用
专利类型 发明专利 国际分类 C02F1/461(2006.01),C02F1/72(2006.01),C02F101/34(2006.01),C02F101/36(2006.01)
申请人 申请地址
发明人 申请日期 2021-10-29
下证状态 未知 更新时间 2025-01-10 07:36:14
专利摘要 本发明公开了一种Gd3+与Ti3+共掺杂TiO2纳米管阵列电极、制备方法及其应用。所述电极以Ti片作为基底,首先通过阳极化处理在其表面生长出TiO2纳米管阵列,后通过高温焙烧将电极晶型转换成锐钛矿型,待其充分冷却后将材料置于Gd(NO3)3·6H2O溶液中浸泡,接着将所得材料置于马弗炉中再次进行煅烧处理,最后将所得材料进行阴极化处理即得所述Gd3+与Ti3+共掺杂TiO2纳米管阵列电极。该电极用于电催化阳极可以实现碘海醇废水的高效降解,其电催化活性优于Ti3+掺杂TiO2纳米管阵列电极以及常见商业电极。

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