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一种以ITO为基底的铁离子光电传感器及其制备方法

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专利号 2021105643089 专利名称 一种以ITO为基底的铁离子光电传感器及其制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 G01N21/64(2006.01),G01N27/30(2006.01)
申请人 申请地址 276000山东省临沂市兰山区工业大道北段西侧
发明人 申请日期 2021-05-24
下证状态 未知 更新时间 2025-01-10 07:29:09
专利摘要 本发明公开一种以ITO为基底的铁离子光电传感器及其制备方法,属于金属离子检测技术领域。本发明铁离子光电传感器,包括改性荧光材料和ITO基底两部分。通过对ITO进行修饰,将4甲基伞形酮和壳聚糖改性的异硫氰酸荧光素材料固化在ITO的表面,构建兼具荧光性能和电化学性能的“一体两用”铁离子传感器。结合荧光分析的可视化及电化学分析灵敏快速的优势,利用电极的荧光特性实现对水体铁离子的可视化浓度判定。结果表明,该传感器对Fe3+有选择性的荧光识别作用,在10‑1~10‑7范围内,可以可视化判断铁的浓度。本发明Fe离子光电传感器对Fe3+也表现出较好的电化学检测性能,对Fe3+的检测限可低至5nM。

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