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一种低温硫化氢气敏材料及制备方法

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专利号 2017100528745 专利名称 一种低温硫化氢气敏材料及制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 B82Y40/00,C25D9/04,C25B1/00,C25D5/54,G01N27/12,B82Y30/00
申请人 申请地址 山东省临沂市兰山区通达路18号
发明人 申请日期 2017-01-24
下证状态 未知 更新时间 2025-01-10 07:25:50
专利摘要 本发明公开了一种低温硫化氢气敏材料及其制备方法,属于电化学技术领域。解决了现有气敏材料无法实现超低温极端条件下气体探测的问题,所述材料是由连续分布的Cu2O和周期性间隔分布的Co3O4构成的纳米线周期性阵列结构。制备方法包括(1)配置电解液;(2)以硅片或玻璃片为基底,在两铜箔片电极间滴加电解液;(3)在控温生长室内将电解液制冷结冰,放置20‑40分钟;(4)在电极上施加半正弦波形沉积电压使电解质沉积;(5)沉积结束后取出基底并用去离子水清洗,得到附着在基底上的Cu2O/Co3O4基低温H2S气敏材料。本发明可用于超低温极端条件下H2S气体的探测。

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