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专利号	2019105742301	专利名称	一种离子探测器及其制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	G01R27/02;H01L21/66
申请人	新昌县厚泽科技有限公司	申请地址	浙江省绍兴市新昌县省级高新技术产业园区三花路2号（科创服务中心）603B
发明人	石清雯	申请日期	2019-06-28
下证状态	未知	更新时间	2023-06-17 08:32:24
专利摘要	本发明属于离子检测技术领域，尤其涉及一种离子探测器，包括硅衬底(1)，依次形成在硅衬底(1)上的基础绝缘层(7)、第一复合层和第二复合层；还包括第一阳极(4‑1)、第二阳极(4‑2)，第一阴极(5‑1)、第二阴极(5‑2)；其中，复合层由多晶硅层(3)及其上方的绝缘层(2)构成，第一复合层中的绝缘层和/或多晶硅层在远离衬底的一面的中间区域具有凹陷，所述凹陷的深度小于所述凹陷所在的绝缘层或多晶硅层的厚度；第一复合层以及第二复合层的宽度随着远离硅衬底依次减小。本发明的离子探测器，从而不仅实现离子能量检测的高分辨，也能够克服离子探测器在制备过程中遇到的“过蚀刻”和/或“接触不良”的技术问题。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
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卖方	企业营业执照专利证书原件	身份证专利证书原件