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专利号	2016108686901	专利名称	钙钛矿结构锰氧化物基的超巨磁电阻材料及其制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	C04B35/50
申请人	杭州电子科技大学	申请地址	浙江省杭州市江干区下沙高教园区2号大街1158号
发明人	王海欧;霍德璇;苏昆朋;黄帅;王昕	申请日期	2016-09-30
下证状态	未知	更新时间	2025-05-27 09:59:59
专利摘要	本发明公开了一种钙钛矿结构锰氧化物基的超巨磁电阻材料，所述超巨磁电阻材料的化学通式为：(PrCLaDSrECaF)MnO3，其中，Mn为金属锰，O为氧，其中，C+D=0.7，E+F=0.3，所述超巨磁电阻材料具有ABO3型钙钛矿晶体结构。本发明还公开了钙钛矿结构锰氧化物基的超巨磁电阻材料的制备方法。本发明的钙钛矿结构锰氧化物基的超巨磁电阻材料的控制方法工艺简单，易于实现。制备得到的磁性材料在外加磁场下电阻变化显著，磁电阻较高，金属‑绝缘转变温度及磁电阻最大值在200～300K温度范围内随成分变化连续可调，且本发明的超巨磁电阻材料具有良好的磁电性能。

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