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专利号	2018115050340	专利名称	一种双向防护芯片及其制备方法
专利类型	发明专利	国际分类	H01L21/82;H01L27/02
申请人	泉州臻美智能科技有限公司	申请地址	福建省泉州市晋江市罗山街道安泰世界城一栋1208号
发明人	不公告发明人	申请日期	2018-12-10
下证状态	未知	更新时间	2023-05-18 08:06:43
专利摘要	本发明公开了一种双向防护芯片，其包括：第一导电类型的衬底，形成在衬底的上表面的第一导电类型的第一外延层，自第一外延层的上表面向下形成的第一导电类型的第一注入区，且第一注入区的离子浓度大于第一外延层的离子浓度，形成在所述第一外延层和所述第一注入区的上表面交界处的第一导电类型的至少一个第二外延层，形成在第二外延层的上表面的第二导电类型的第三外延层，形成在第一注入区的上表面且与第二外延层间隔设置的第二导电类型的第四外延层，形成在第一外延层、第三外延层、第四外延层和第一注入区的上表面的绝缘层。本发明还公开了一种上述双向防护芯片的制备方法。其能实现双向电压保护，且体积较小。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
买方	企业营业执照企业组织机构代码证	身份证
卖方	企业营业执照专利证书原件	身份证专利证书原件