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一种多孔单层1T MoS<sub>2</sub>纳米片的制备方法及其应用

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专利号 2016106500857 专利名称 一种多孔单层1T MoS<sub>2</sub>纳米片的制备方法及其应用
专利类型 发明专利 国际分类 C01G39/06;B82Y40/00;B01J27/051;B82Y30/00
申请人 河南工程学院 申请地址 河南省郑州市新郑龙湖祥和路1号
发明人 李玥;王龙禄;叶英杰;高风仙;张倩;刘建 申请日期 2016-08-09
下证状态 未知 更新时间 2025-05-27 09:58:48
专利摘要 本发明公开了一种多孔单层1TMoS2纳米片的制备方法,步骤如下:(1)采用水热法制备2H晶型的MoS2纳米片;(2)采用超声辅助锂离子插层法对多层2H晶型的MoS2纳米片进行剥离,得到多孔单层1TMoS2纳米片。本发明的1TMoS2纳米片可直接用于电催化制氢,相对于其它结构MoS2,其电催化制氢性能得到快速提高,多孔的结构为该催化提供了更多的边缘,因此可以暴露更多的活性位点,这将有益于电催化制氢;单层的结构使得该催化剂拥有更大的比表面积,可以提供更多的反应活性位点。相对于多层的结构,单层结构降低了层与层之间的电子传输阻力,有利于电子的传输和转移,进而加快电催化制氢速率。

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