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一种ZnO量子点/多孔硅荧光材料制备方法及应用

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专利号 2017104651062 专利名称 一种ZnO量子点/多孔硅荧光材料制备方法及应用
专利类型 发明专利 国际分类 C09K11/54;C09K11/02;B82Y40/00;G01N21/64
申请人 江苏大学 申请地址 江苏省镇江市京口区学府路301号
发明人 刘燕;仇建;胡肖;倪良;刘占超 申请日期 2017-06-19
下证状态 未知 更新时间 2025-05-27 08:07:58
专利摘要 本发明属于功能材料制备技术领域,以SiO2@ZnOQDs为荧光基质材料,利用自由基聚合方法合成多孔硅表面分子印迹荧光传感器。本发明利用凝胶溶胶法将ZnOQDs封装到多孔SiO2中,不仅解决量子点稳定性问题,提高量子点使用寿命;还通过加入致孔剂制备多孔SiO2,解决量子点包埋过深,增加比表面积,拓宽其使用范围。与表面分子印迹技术结合,提高荧光传感器对待检测物质的识别能力和响应速度,为快速、选择性识别检测乳制品中痕量三聚氰胺奠定坚实的理论和实践基础。

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