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基于相场模型利用激光控制硅基表面形态的研究方法

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专利号 2017100154499 专利名称 基于相场模型利用激光控制硅基表面形态的研究方法
专利类型 发明专利 国际分类 G01Q60/24
申请人 杭州电子科技大学 申请地址 浙江省杭州市经济技术开发区白杨街道2号大街1号
发明人 张俐楠;程从秀;吴立群;郑伟;王洪成 申请日期 2017-01-10
下证状态 已下证 更新时间 2025-08-12 08:20:38
专利摘要 本发明公开了一种基于相场模型利用激光控制硅基表面形态的研究方法,按如下步骤进行:一、在原子力显微镜下,采用硅夹具将微纳结构的硅基板夹住;二、用激光对硅基板的悬空端照射数秒,观察硅基板的硅基表面形态并测量相对应的尺寸;三、在相场模型下模拟基于激光照射下的硅原子扩散行为和纳米结构硅基表面形态的演变过程。

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