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专利号	2019106736134	专利名称	一种等离子体处理制备表面羟基化WO薄膜光电极材料的方法
专利类型	发明专利	国际分类	C23C18/12;C25B11/06;C25B1/04
申请人	台州学院	申请地址
发明人	熊贤强;梅优阳;李江山;范利亚;武承林;付帅	申请日期	2019-07-24
下证状态	已下证	更新时间	2023-11-29 08:00:56
专利摘要	本发明涉及一种等离子体处理制备表面羟基化WO3薄膜光电极材料的方法，具体步骤为：先在FTO导电玻璃表面制备WO3晶种，然后以H2WO4的H2O2溶液、乙腈、草酸和盐酸溶液为原料，在WO3晶种表面水热生长纳米片状WO3；后采用低温等离子体技术对WO3薄膜电极表面进行处理，得到表面羟基化的WO3薄膜。本发明制备的表面羟基化WO3薄膜与水的润湿性好，体相载流子浓度增加，界面电荷转移加快，有效促进了光电催化水分解性能。并且，等离子体处理WO3薄膜工艺简单，节能环保，无公害，效率高，时间短，对大规模处理WO3光电极提供了一种重要途径。

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