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基于CdTe/CdS量子点的发光二极管及其制备方法
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发明专利
专利类型 -
未知
专利状态 -
2018106594444
专利号
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专利信息
数据仅供参考，具体信息可联系在线顾问
| 专利号 | 2018106594444 | 专利名称 | 基于CdTe/CdS量子点的发光二极管及其制备方法 |
|---|---|---|---|
| 专利类型 | 发明专利 | 国际分类 | B82Y40/00;H01L51/52;H01L51/50;H01L51/56 |
| 申请人 | 扬州工业职业技术学院,南京邮电大学通达学院 | 申请地址 | 江苏省扬州市邗江区润扬南路33号 |
| 发明人 | 王红玉;单丹 | 申请日期 | 2018-06-22 |
| 下证状态 | 未知 | 更新时间 | 2023-06-27 09:01:23 |
| 专利摘要 | 本发明涉及一种基于CdTe/CdS量子点的发光二极管，从下至上依次包括Au电极、P‑Si衬底层、Si纳米线层、空穴传输层PVK、CdTe/CdS量子点/POSS纳米复合膜层、Au纳米棒层、ZnO电子传输层以及ITO电极。本发明采用POSS作为溶液添加剂，同时也作为CdTe/CdSQDs与ZnO之间的空穴阻挡层，维持量子点的荧光，提高成膜质量，进而提高器件性能。本发明采用P‑Si为衬底，以其作为空穴注入层，有利于实现大面积的光电集成。把不同长径比的金纳米棒嵌入P‑Si/PVK/CdTe/CdSQDs/POSS/ZnO结构的QLED中，利用金纳米棒表面的局域表面等离激元与发光二极管电致发光的相互耦合作用，能够明显提升器件的性能。 | ||
交易流程
转让材料
| 买卖双方需提供 | 平台提供 | 转让后买方可获得 | ||
|---|---|---|---|---|
| 企业 | 个人 | 专利代理委托书 专利权转让协议 办理文件副本请求书 发明人变更声明 | 专利证书 手续合格通知书 专利登记簿副本 | |
| 买方 | 企业营业执照 企业组织机构代码证 | 身份证 | ||
| 卖方 | 企业营业执照 专利证书原件 | 身份证 专利证书原件 | ||
服务保障
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