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用于测定汞离子的LSPR传感膜及其制备方法

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专利号 2013103486765 专利名称 用于测定汞离子的LSPR传感膜及其制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 G01N21/31;G01N21/29
申请人 苏州大学 申请地址 江苏省苏州市苏州工业园区仁爱路199号
发明人 狄俊伟;陶红;高妍 申请日期 2013-08-12
下证状态 未知 更新时间 2022-10-28 08:21:46
专利摘要 本发明公开了一种用于测定汞离子的LSPR传感膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(a)采用电化学法直接在ITO导电玻璃表面沉积金银合金纳米粒子,得到金属纳米膜;其中,金与银的摩尔比为1:1~3;(b)将上述金属纳米膜浸入聚乙烯吡咯烷酮水溶液中,形成聚乙烯吡咯烷酮保护膜;清洗晾干后,即可得到LSPR传感膜。本发明将传感单元和反应试剂合二为一,实现了无试剂传感,试片制备简单,使用方便,灵敏度高,选择性好,既可用分光光度计进行定量测定,又可采用目测法定性或半定量测定Hg(II)。

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