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　　声明指出，网传“美国专利商标局于7月28日裁定长江存储核心3D NAND专利全部19项权利要求无效”等信息属于“严重误导性描述”，同时澄清“长存相关概念股全线暴跌”系基于误导信息所作的恶意编造。

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　　深耕存储芯片领域多年，长江存储始终以自主创新为核心，一步步打破海外技术垄断，实现国产3D NAND闪存芯片的跨越式突破。

　　2018年，长江存储成功量产了第一代32层3D NAND闪存芯片，这款由团队历时2年研发成功的首款32 层三维NAND闪存芯片，实现了零的突破。这款芯片稳定应用于工控领域，奠定了国产存储芯片产业化的基础。

　　2020年，企业再度迭代升级，成功研发两款128层闪存产品，快速追平国际主流技术水平。

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　　亮眼的技术成果背后，是企业突破封锁的坚守。2023年11月9日，长江存储在美国加利福尼亚州北区联邦地方法院提起诉讼，指控美光科技及全资子公司侵犯其8项美国专利。此后，双方在多法域展开连环诉讼。

　　如今，伴随着自动驾驶、人工智能、元宇宙等新应用在国内的落地，国内数据存储需求不断提升，对国产 NAND 存储芯片的需求也有望不断增长。

　　知识产权是企业创新发展的核心支撑，更是科技企业参与国际竞争、抵御外部风险的坚固壁垒。对于芯片这类高技术产业而言，自主研发的专利技术、完善的知识产权布局，是突破技术封锁、规避市场风险的关键。

　　中细软深耕知识产权25年，如果您有知识产权方面的需求，欢迎咨询我们~

标签： 3D NAND 长江存储