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　　与现有的200毫米晶圆相比，300毫米晶圆技术意味着在单个晶圆上可以制造更多的芯片，从而提高了生产效率和规模经济。

　　这一技术进步不仅能够增加每晶圆的芯片产量，达到2.3倍，同时也有助于降低生产成本，使得氮化镓技术更加经济高效。

　　氮化镓功率半导体因其在效率、尺寸和重量方面的优势，在工业、汽车、消费电子、计算和通信应用中得到快速采用。

　　据悉，英飞凌将在2024年11月在慕尼黑举行的电子展上展示其300毫米GaN技术。

　　公司已经在奥地利菲拉赫的功率工厂成功制造了300毫米GaN晶圆，并计划根据市场需求进一步扩大产能。

　　英飞凌科技股份公司首席执行官Jochen Hanebeck表示：“这一显着的成功是我们创新实力和全球团队专注工作的结果，旨在展示我们作为氮化镓和电源系统创新领导者的地位。这项技术突破将改变行业游戏规则，使我们能够释放氮化镓的全部潜力。”

　　来源：快科技

标签：半导体英飞凌