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专利号	2016102360922	专利名称	一种基于InGaAs‑InP异质结光电晶体管的结构优化方法
专利类型	发明专利	国际分类	H01L31/18;H01L27/02
申请人	苏州大学	申请地址	江苏省苏州市工业园区仁爱路199号
发明人	陈俊;朱敏	申请日期	2016-04-15
下证状态	未知	更新时间	2023-04-18 08:22:13
专利摘要	本发明公开了一种基于InGaAs‑InP异质结光电晶体管的结构优化方法，包括以下步骤：根据异质结光电晶体管的实际结构和类型在仿真软件中建立起相同的仿真模型；将该异质结光电晶体管的实际性能与该仿真模型的仿真实验结果进行拟合；以增大光响应度为目的，并以该异质结光电晶体管基区不发生穿通现象为前提，优化该异质结光电晶体管的集电极高低掺杂浓度、基区掺杂浓度和基区厚度，并确定基区与发射区之间的本征层厚度及基区材料掺杂最优渐变范围，得到优化后的结构；将该仿真模型改成优化后的结构，再进行仿真实验，把仿真实验结果与结构优化前的仿真实验结果进行比较，验证结构优化后的有效性。该方法能够对结构进行优化设计，给出确切的结构参数，提高性能。

买卖双方需提供			平台提供	转让后买方可获得
	企业	个人	专利代理委托书专利权转让协议办理文件副本请求书发明人变更声明	专利证书手续合格通知书专利登记簿副本
买方	企业营业执照企业组织机构代码证	身份证
卖方	企业营业执照专利证书原件	身份证专利证书原件