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一种晶界精确掺杂的钙钛矿太阳能电池及其制备方法

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专利号 2018102434728 专利名称 一种晶界精确掺杂的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
专利类型 发明专利 国际分类 H01L51/48;H01L51/46;H01L51/42
申请人 宁波大学 申请地址 浙江省宁波市江北区风华路818号
发明人 田辉;张京;熊启;陆超杰;侯大刚;诸跃进 申请日期 2018-03-23
下证状态 未知 更新时间 2022-10-28 08:25:18
专利摘要 本发明涉及一种晶界精确掺杂的钙钛矿太阳能电池及其制备方法,其特征在于:导电玻璃层、致密二氧化钛膜、钛掺杂CH3NH3PbI3多晶膜、空穴传输材料层及蒸镀银电极层,钛掺杂CH3NH3PbI3多晶膜是指晶界处掺杂有钛离子,经过退火原位形成晶界缺陷钝化的CH3NH3PbI3多晶膜,钛离子的摩尔数为铅离子摩尔数的0.01%‑5%。本发明通过钛元素的掺入,有效抑制了电池内部p‑n结的载流子在晶界处复合,使得并联寄生电阻增大,从而提高了电池填充因子,光电流密度与光电转换效率。同时钛元素的掺杂比例进行了优化,进一步提高了光电转换效率。

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